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| 产品型号 | GaN-FS-M-U/N/SI-S |
| 尺寸 | （5.0~10.0）× 10.0 mm2 |
| （5.0~10.0）× 20.0mm2 | |
| 厚度 | 350±25μm |
| 晶面 | （1100） |
| 斜切角 | -1°±0.2° |
| TTV | ≤10μm |
| 弯曲度 | ≤10μm |
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导电类型 电阻率（300 K） |
N-type < 0.1Ω·cm |
| N-type < 0.05Ω·cm | |
| Semi-Insulating > 106Ω·cm | |
| 位错密度 | From 1x105 to 3x106 cm-2 |
| 有效面积 | >90% |
| 抛光 |
Front Surface：Ra＜0.2 nm（polished） |
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Back Surface：1-3nm(fine ground); option：<0.2nm(polished). |
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| 包装 |
Packaged in a class 100 clean room environment, in single container,under a nitrogen atmosphere. |
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