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| 产品型号 | GaN-FS-C-SI-S10 |
| 尺寸 | 10×10.5mm2 |
| 厚度 | 350±25μm |
| 晶体取向 | C-plane（0001）off angle toward M-Axis 0.35°±0.15° |
| TTV | ≤10μm |
| 弯曲度 | ≤10μm |
| 导电类型 | Semi-Insulating |
| 电阻率（300 K） | > 106Ω·cm |
| 位错密度 | From 1x105to 3x106cm-2 |
| 有效面积 | >90% |
| 抛光 |
Front Surface：Ra＜0.2 nm(polished); or <0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy) |
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Back Surface：0.5~1.5μm; option：1-3nm(Fine ground)；<0.2nm(polished) |
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| 包装 |
Packaged in a class 100 clean room environment, in single container,under a nitrogen atmosphere. |
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